產品分類
詳細信息
?晶體管極性: N-Channel
技術: Si
Id-連續漏極電流: 16 A
Vds-漏源極擊穿電壓: 125 V
工作頻率: 150 MHz
增益: 17 dB
輸出功率: 150 W
最大工作溫度: + 200 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: 221-11-3
商標: MACOM
正向跨導 - 最小值: 4 mhos
高度: 6.58 mm
長度: 26.04 mm
通道數量: 1 Channel
類型: RF Power MOSFET
Vgs - 柵極-源極電壓: + 40 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
寬度: 24.77 mm
單位重量: 41.165 g
技術: Si
Id-連續漏極電流: 16 A
Vds-漏源極擊穿電壓: 125 V
工作頻率: 150 MHz
增益: 17 dB
輸出功率: 150 W
最大工作溫度: + 200 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: 221-11-3
商標: MACOM
正向跨導 - 最小值: 4 mhos
高度: 6.58 mm
長度: 26.04 mm
通道數量: 1 Channel
類型: RF Power MOSFET
Vgs - 柵極-源極電壓: + 40 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
寬度: 24.77 mm
單位重量: 41.165 g
