產品分類
詳細信息
?晶體管類型: HEMT
技術: Si
工作頻率: 6 GHz
增益: 14.8 dB
Vds-漏源極擊穿電壓: 28 V
輸出功率: 5 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
商標: MACOM
濕度敏感性: Yes
產品類型: RF JFET Transistors
Rds On-漏源導通電阻: 1.6 Ohms
技術: Si
工作頻率: 6 GHz
增益: 14.8 dB
Vds-漏源極擊穿電壓: 28 V
輸出功率: 5 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
商標: MACOM
濕度敏感性: Yes
產品類型: RF JFET Transistors
Rds On-漏源導通電阻: 1.6 Ohms
